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西安智盈电气科技有限公司

IGBT参数测试设备 雪崩能量测试台 可控硅晶闸管参数测试 浪涌电流参数测试

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ZY-200 雪崩能量测试仪
系统概述:是专门设计测试IGBT、二极管、MOS管测试设备,该设备主要组成单元有:示波器、程控电源、程控电感、电流传感器、电压传感器、雪崩保护电压控制、IGBT功率型器件、IGBT功率型器件保护电路、计算机程控系统
2024-11-01
DBC-112 可控硅 静态综合测试设备
系统概述:针对晶闸管的静态参数而研发的智能测试设备,电压8500V、10000A(可扩展),自动化程度高,按照操作人员设定的程序自动工作。计算机记录测试结果,测试结果可转化为文本或EXCEL格式存储,工作时序、开关的
2024-11-01
高温阻断 测试设备 DBC-249
系统概述:本测试设备可对晶闸管、整流管的电耐久性进行试验,测试设备主要技术条件符合JB/T-7626-2013等相关标准。保证设备的安全性和使用耐久性。测试的电压和电流波形同时被采集到示波器,并由示波器与工控机直接
2024-11-01
ZY-200 雪崩能量 测试仪器
系统概述:是专门设计测试IGBT、二极管、MOS管测试设备,该设备主要组成单元有:示波器、程控电源、程控电感、电流传感器、电压传感器、雪崩保护电压控制、IGBT功率型器件、IGBT功率型器件保护电路、计算机程控系统
2024-11-01
ZY-1500R IGBT 静态参数测试系统
系统概述:针对IGBT的静态参数而研发的智能测试系统,功率3500V、1500A(可扩展),自动化程度高,按照操作人员设定的程序自动工作。计算机记录测试结果,测试结果可转化为文本或EXCEL格式存储,工作时序、开关的动
2024-11-01
10uS-10mS DBC-102 浪涌电流 测试系统
系统概述:浪涌电流测试仪,是二极管等相关半导体器件测试的重要检测设备,浪涌电流是指电源接通瞬间或是在电路出现异常情况下产生的远大于稳态电流的峰值电流或过载电流。DBC-102型浪涌电流试验台的测试方法符合JB/
2024-11-01
半导体 分立器件测试系统
统概述设备的扩展性强,通过选件可提高电流、电压以及测试品种的范围。支持电压电流阶梯升级至2000V,1250A。采用了脉冲测试法,脉冲宽度为美军规定的300uS。在PC窗口提示下输入被测器件的测试条件点击即可完成测试
2024-11-01
晶闸管 门极/阻断特性测试仪
系统概述:晶闸管门极/阻断特性测试仪是可用于测量晶闸管的VDRM、VRRM、IDRM、IRRM\VGT、IGT、 Ih以及二极管的VRRM、IRRM参数以及其它半导体器件的相关参数测试的专业设备。它的测试方法符合GB/JB/T7626-2013标准。
2024-11-01