返回主站|会员中心|保存桌面|手机浏览
普通会员

西安智盈电气科技有限公司

IGBT参数测试设备 雪崩能量测试台 可控硅晶闸管参数测试 浪涌电流参数测试

产品分类
站内搜索
 
友情链接
首页 > 供应产品 > DBC-112 可控硅 静态综合测试设备
DBC-112 可控硅 静态综合测试设备
点击图片查看原图
产品: 浏览次数:84DBC-112 可控硅 静态综合测试设备 
品牌: 西安智盈科技
型号: ZY-Trr
电流: 1.0-200A
电网电压: 10-200V
单价: 100000.00元/台
最小起订量: 1 台
供货总量: 10 台
发货期限: 自买家付款之日起 30 天内发货
有效期至: 长期有效
最后更新: 2024-04-17 14:16
  询价
详细信息

系统概述:

    针对晶闸管的静态参数而研发的智能测试设备,电压8500V、10000A(可扩展),自动化程度高,按照操作人员设定的程序自动工作。计算机记录测试结果,测试结果可转化为文本或EXCEL格式存储,工作时序、开关的动作状态、数据采集等均由计算机和PLC共同完成。

测试方法灵活,可测试单个单元和多单元的模块,系统安全稳定,整体采用轮式机柜集成测试,具有简洁的人机交互界面(计算机)和良好的保护措施,操作简单,移动方便等特点。

 

系统单元及参数条件:

 

 

门极触发电压/门极触发电流测试单元IGT/VGT

阳极电压:12V

阳极串联电阻:

门极触发电压:0.3~5.00V ±3%±10mV

门极触发电流:2~450mA ±3%±1 mA

 

维持电流测试单元IH

阳极电压:12V

预导通电流:10A,正弦衰减波

维持电流: 2~450mA  ±5%±1 mA

测试频率:单次

 

 

通态压降测试单元VTM

平板器件通态电流:0.10~5.00kA, 分辨率:0.01kA,精度±1 0A±5%

模块器件通态电流:0.10~2.00kA, 分辨率:0.01kA,精度±1 0A±5%

电流上升沿时间:5ms

通态压降测试范围: 0.20~10.00V, 分辨率:0.01V,精度±0.1 V±5%

测试频率:单次

 

 

断态电压/断态漏电流VD/ID

反向电压/反向漏电流VR/IR测试单元

阻断电压:0.20~6.00kV, 分辨率:0.01kV, 精度±0.1 kV±3%

模块单元阻断电压:0.20~4.00kV

正反向自动测试

/反向漏电流:0.2~100 mA, 分辨率:0.1 mA, 精度±5%±1 mA

输出保护电压和电流可计算机设定范围值;在测试时电压或漏电流超过所  设定的范围则自动保护,测试频率: 50HZ

 

断态电压临界上升率测试单元dv/dt

电压:1200V,1600V,2000V三档, 1V,±5%

电压过冲范围:<50V±10%

DV/DT电压上升率三挡选择:dv/dt:800V/μs、1000V/μs1200V/μs±10%

阻断参数测试单元

测量晶闸管的VDRM、VRRM、IDRM、IRRM以及整流二极管的VRRM、IRRM等参数

擎住电流IL

100-1800mA

平板夹具压力范围

6-60KN,气动加压方式

门极电阻

适合门极触发电压在0.95V以上器件测试

 

计算机控制系统

设备的所有工作程序,工作时序,开关的动作状态,数据的采集等均由计算机完成。工业控制机,具有抗电磁干扰能力强,排风量大等特点。

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 


询价单